NXP способствует миниатюризации мобильных устройств, предлагая ультракомпактное решение для управления питанием

Эйндховен, Нидерланды и Гамбург, Германия, 11 августа, 2011 г. – Сегодня компания NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) представила устройство PBSM5240PF, которое объединяет в одном не содержащем свинца корпусе DFN2020-6 (SOT1118) ультракомпактный транзистор средней мощности и n-канальный полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора (Trench MOSFET). Корпус DFN2020-6 (SOT1118) размером 2x2 мм и высотой всего лишь 0,65 мм был создан с учетом мировых тенденций миниатюризации мобильных устройств.

Эйндховен, Нидерланды и Гамбург, Германия, 11 августа, 2011 г. – Сегодня компания NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) представила устройство PBSM5240PF, которое объединяет в одном не содержащем свинца корпусе DFN2020-6 (SOT1118) ультракомпактный транзистор средней мощности и n-канальный полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора (Trench MOSFET). Корпус DFN2020-6 (SOT1118) размером 2x2 мм и высотой всего лишь 0,65 мм был создан с учетом мировых тенденций миниатюризации мобильных устройств.

PBSM5240PF – одно из первых на рынке решений для управления питанием, сочетающее в себе BISS-транзистор с низким напряжением насыщения VCE(sat) и полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора, – экономит место на печатной плате и имеет отличные электрические характеристики.

Размер посадочного места PBSM5240PF сокращен более чем на 50%, а высота – более чем на 10% по сравнению с традиционными решениями, которые требуют двух отдельных корпусов: для BISS (Breakthrough in Small Signal – «прорыв в области малосигнальных устройств») транзистора и для полевого МОП-транзистора. Корпус DFN2020-6 (SOT1118) снабжен теплоотводом, благодаря чему удалось более чем на 25% улучшить тепловые характеристики устройства, увеличить токи до 2 А и снизить энергопотребление.

PBSM5240PF предназначен для зарядных цепей аккумуляторных батарей мобильных телефонов, MP3-плееров или других портативных устройств. Это решение может применяться также в переключателях нагрузки или в устройствах с батарейным питанием, которым требуются лучшие в своем классе температурные характеристики, чтобы выдерживать более высокие токи при миниатюрных размерах.

Цитата

• «BISS/MOSFET является привлекательным решением для производителей портативных устройств, поскольку в нем уникальным образом сочетаются миниатюрные размеры и превосходные электрические и температурные характеристики корпуса, не содержащего свинца. Интегрированный корпус, рассчитанный на напряжение 40 В, идеально подходит для современных миниатюрных тонких мобильных устройств, где серьезно ограничены высота компонентов и место, занимаемое ими на плате, и где на счету каждый миллиметр», – заявил Йоахим Станге (Joachim Stange), менеджер по продукции компании NXP Semiconductors.

Технические характеристики

Ключевые характеристики PBSM5240PF BISS транзистора и n-канального полевого МОП-транзистора с вертикальным расположением затвора:

• Высокий ток коллектора IC и импульсный ток коллектора ICM

• Высокий коэффициент усиления по току (hFE) при большом токе коллектора IC

• Высокая энергоэффективность за счет меньшего тепловыделения

• Очень низкое напряжение насыщения «коллектор-эмиттер» (VCEsat)

• Корпус DFN2020-6 с площадью основания 2x2 мм, высвобождающий место на печатной плате

Наличие

Решение NXP PBSM5240PF – BISS транзистор с n-канальным полевым МОП-транзистором с вертикальным расположением канала – имеется в наличии уже сегодня у ведущих дистрибуторов по всему миру.

Ссылки

• Буклет о решении NXP PBSM5240PF транзистор BISS/полевой МОП-транзистор

• Спецификация решения PBSM5240PF

• Информация о транзисторах NXP с низким напряжением насыщения VCEsat (BISS)

• Информация о полевых МОП-транзисторах компании NXP

О компании NXP

NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) поставляет решения на основе высокопроизводительных смешанных цифро-аналоговых (High Performance Mixed Signal) и стандартных полупроводниковых компонентов, в которых воплощен лидирующий на рынке опыт разработок компании в области радиочастотных и аналоговых сигналов, управления питанием, интерфейсов, безопасности и цифровой обработки сигнала. Эти инновационные решения используются в широком диапазоне применений для автомобильной и промышленной электроники, средств идентификации, инфраструктуры беспроводной связи, систем освещения, мобильных устройств, бытовой техники и вычислительных систем. Являясь глобальным производителем полупроводниковых компонентов, компания представлена более чем в 30 странах мира и обладает годовым доходом в 4,4 млрд. долларов США (2010 г.). Более подробную информацию вы можете получить на www.nxp.com.